RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
65
79
Wokół strony 18% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.3
2,784.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
79
Prędkość odczytu, GB/s
4,806.8
14.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,784.6
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
932
1651
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link