RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
20.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,784.6
17.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
65
Wokół strony -171% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
24
Prędkość odczytu, GB/s
4,806.8
20.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,784.6
17.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
932
4122
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link