RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
20.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,784.6
16.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
65
Wokół strony -124% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
29
Prędkość odczytu, GB/s
4,806.8
20.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,784.6
16.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
932
3901
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link