RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,784.6
11.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
65
Wokół strony -55% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
42
Prędkość odczytu, GB/s
4,806.8
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,784.6
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
932
2074
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link