RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,784.6
14.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
61
65
Wokół strony -7% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
61
Prędkość odczytu, GB/s
4,806.8
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,784.6
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
932
2671
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link