RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
13.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
65
Wokół strony -81% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
2,784.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
36
Prędkość odczytu, GB/s
4,806.8
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,784.6
9.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
932
2227
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link