RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,784.6
12.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
65
Wokół strony -81% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
36
Prędkość odczytu, GB/s
4,806.8
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,784.6
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
932
2353
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
INTENSO 5641152 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Kingston 9965525-010.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link