RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,784.6
14.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
65
Wokół strony -117% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
30
Prędkość odczytu, GB/s
4,806.8
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,784.6
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
932
3491
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link