RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,784.6
14.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
65
Wokół strony -124% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
29
Prędkość odczytu, GB/s
4,806.8
18.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,784.6
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
932
3611
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Lenovo 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link