RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Porównaj
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
76
Wokół strony 67% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
6.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.6
13.4
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR5
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
76
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.1
6.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
no data / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3419
1624
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
AMD R5316G1609U2K 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link