RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Porównaj
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB vs V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Wynik ogólny
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
44
Wokół strony 43% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
10.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
13.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR5
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
44
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.1
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
no data / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3419
2518
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link