RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Porównaj
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
36
Wokół strony -24% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
15
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
10.3
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
29
Prędkość odczytu, GB/s
15.0
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
10.3
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
17000
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2569
3086
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link