RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
Porównaj
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
36
Wokół strony -112% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.1
15
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.2
10.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
17
Prędkość odczytu, GB/s
15.0
22.1
Prędkość zapisu, GB/s
10.3
17.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
19200
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2569
4042
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Corsair CMX16GX3M4A1333C9 4GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link