RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Porównaj
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
36
Wokół strony -24% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
15
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
10.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
29
Prędkość odczytu, GB/s
15.0
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
10.3
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
19200
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2569
2553
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link