RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Porównaj
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
36
Wokół strony -13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20
15
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
10.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
32
Prędkość odczytu, GB/s
15.0
20.0
Prędkość zapisu, GB/s
10.3
15.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
21300
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2569
3592
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link