RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Porównaj
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
36
Wokół strony -13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
15
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
10.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
32
Prędkość odczytu, GB/s
15.0
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
10.3
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
21300
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2569
3625
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link