RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Porównaj
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
36
Wokół strony -13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.3
15
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
10.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
32
Prędkość odczytu, GB/s
15.0
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
10.3
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
19200
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2569
2849
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Apacer Technology 78.A1GA0.9L4 2GB
Jinyu 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link