RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Porównaj
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
46
Wokół strony 22% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
15
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.1
10.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
46
Prędkość odczytu, GB/s
15.0
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
10.3
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
25600
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2569
2973
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link