RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Porównaj
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.3
10.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
36
Wokół strony -57% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
15
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
23
Prędkość odczytu, GB/s
15.0
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
10.3
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
19200
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2569
2489
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Kingston ASU16D3LS1KFG/4G 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link