RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Porównaj
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
36
Wokół strony -6% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
15
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
10.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
34
Prędkość odczytu, GB/s
15.0
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
10.3
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
19200
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2569
2780
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link