RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Porównaj
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
36
Wokół strony -33% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
15
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
10.3
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
27
Prędkość odczytu, GB/s
15.0
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
10.3
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
17000
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2569
3061
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link