RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Porównaj
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
36
Wokół strony -33% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
15
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
10.3
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
27
Prędkość odczytu, GB/s
15.0
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
10.3
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
17000
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2569
3061
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link