RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Porównaj
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
55
Wokół strony 35% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
21
15
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.7
10.3
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
55
Prędkość odczytu, GB/s
15.0
21.0
Prędkość zapisu, GB/s
10.3
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
17000
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2569
2457
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link