RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Porównaj
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
36
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.9
15
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.7
10.3
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
18
Prędkość odczytu, GB/s
15.0
20.9
Prędkość zapisu, GB/s
10.3
16.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
17000
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2569
3609
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link