RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Porównaj
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
74
Wokół strony 51% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.3
7.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
74
Prędkość odczytu, GB/s
15.0
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
10.3
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
19200
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2569
1779
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link