RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Porównaj
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
74
Wokół strony 51% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.3
7.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
74
Prędkość odczytu, GB/s
15.0
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
10.3
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
19200
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2569
1779
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link