RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Porównaj
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
36
Wokół strony -29% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
15
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.8
10.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
28
Prędkość odczytu, GB/s
15.0
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
10.3
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
19200
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2569
2469
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link