RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Porównaj
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
36
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.1
15
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.1
10.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
24
Prędkość odczytu, GB/s
15.0
20.1
Prędkość zapisu, GB/s
10.3
16.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
19200
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2569
3778
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Kingston 16KTF1G64HZ-1G6E1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link