RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Porównaj
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
74
Wokół strony 51% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.3
9.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
74
Prędkość odczytu, GB/s
15.0
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
10.3
9.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
17000
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2569
1925
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link