RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Porównaj
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
36
Wokół strony -57% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.6
15
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.8
10.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
23
Prędkość odczytu, GB/s
15.0
19.6
Prędkość zapisu, GB/s
10.3
18.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
21300
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2569
4095
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link