RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Porównaj
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB vs Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
55
Wokół strony 35% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
9.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
7.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
55
Prędkość odczytu, GB/s
15.3
9.3
Prędkość zapisu, GB/s
11.9
7.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2981
2078
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link