RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Porównaj
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
33
Wokół strony -14% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20
18.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
13.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
29
Prędkość odczytu, GB/s
18.5
20.0
Prędkość zapisu, GB/s
13.8
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3341
3831
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965434-071.A00LF 8GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link