RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Porównaj
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB vs Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
64
Wokół strony 48% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
17
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
8.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
64
Prędkość odczytu, GB/s
18.5
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
13.8
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3341
2103
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
SK Hynix V-GeN D3H8GL1600RN 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link