RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Porównaj
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Wynik ogólny
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
76
Wokół strony 53% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
13.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
76
Prędkość odczytu, GB/s
15.8
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2497
1587
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) DDR2 800 2G 2
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link