RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Porównaj
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
36
Wokół strony -9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
15.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
33
Prędkość odczytu, GB/s
15.8
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2497
3160
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link