Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB

Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB

Różnice

  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    21300 left arrow 17000
    Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    30 left arrow 36
    Wokół strony -20% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    19 left arrow 15.8
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    14.2 left arrow 11.8
    Średnia wartość w badaniach

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR4 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    36 left arrow 30
  • Prędkość odczytu, GB/s
    15.8 left arrow 19.0
  • Prędkość zapisu, GB/s
    11.8 left arrow 14.2
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    21300 left arrow 17000
Other
  • Opis
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • Taktowanie / szybkość zegara
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    2497 left arrow 3435
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania