RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Porównaj
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
36
Wokół strony -64% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
15.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
22
Prędkość odczytu, GB/s
15.8
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2497
2648
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link