RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Porównaj
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
11.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
36
Wokół strony -44% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
25
Prędkość odczytu, GB/s
15.8
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2497
2945
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair VS1GB800D2 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link