RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Porównaj
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
36
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.2
15.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.5
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
24
Prędkość odczytu, GB/s
15.8
20.2
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2497
3744
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link