RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Porównaj
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
36
Wokół strony -57% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.8
15.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.2
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
23
Prędkość odczytu, GB/s
15.8
19.8
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
18.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2497
4128
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link