RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Porównaj
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
36
Wokół strony -44% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.5
15.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.2
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
25
Prędkość odczytu, GB/s
15.8
19.5
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2497
3890
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link