RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Porównaj
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
36
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.4
15.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.4
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
24
Prędkość odczytu, GB/s
15.8
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
17.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2497
3809
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link