RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
Porównaj
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB vs Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
41
Wokół strony -95% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.1
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
21
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2322
3264
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD? 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link