Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB

Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB vs Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB

Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB

Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    41 left arrow 42
    Wokół strony 2% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    15.5 left arrow 13.3
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    14.1 left arrow 8.5
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    17000 left arrow 12800
    Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    41 left arrow 42
  • Prędkość odczytu, GB/s
    13.3 left arrow 15.5
  • Prędkość zapisu, GB/s
    8.5 left arrow 14.1
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • Opis
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • Taktowanie / szybkość zegara
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    2322 left arrow 3170
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania