RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Porównaj
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB vs Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
81
Wokół strony 48% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.6
8.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
5.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
81
Prędkość odczytu, GB/s
13.6
8.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
5.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2292
1651
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMV8GX3M1A1600C11 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link