RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Porównaj
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
29
Wokół strony 21% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.4
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.2
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
29
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2269
3735
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link