RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Porównaj
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
30
Wokół strony 23% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.4
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
30
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2269
2688
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link