RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Porównaj
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
26
Wokół strony 12% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.8
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.2
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
26
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2269
3035
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link