RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Porównaj
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
23
Wokół strony -10% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.2
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
21
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2269
2930
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link