RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Porównaj
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
40
Wokół strony 43% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.0
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
40
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
14.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2269
3015
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link