RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Porównaj
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
29
Wokół strony 21% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.1
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
29
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2269
3384
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link