RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Porównaj
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
35
Wokół strony 34% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
35
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2269
2982
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link